https://tcatmon.com/w/index.php?action=history&feed=atom&title=%EA%B0%95%EB%8C%80%EC%9B%90 2026-07-09T11:09:45Z 이 문서의 편집 역사 MediaWiki 1.28.0 https://tcatmon.com/w/index.php?title=%EA%B0%95%EB%8C%80%EC%9B%90&diff=32541&oldid=prev 2017-01-21T13:21:28Z

<p></p> <p><b>새 문서</b></p><div>http://image.mt.co.kr/indexlink_image.php?no=2009043015202174053_1.jpg&amp;index=6<br /> ↑고 강대원 박사(왼쪽)와 그의 부인인 강영희씨.<br /> <br /> 강대원(姜大元, Dawon David Kahng, 1931년 5월 4일-1992년 5월 13일)은 대한민국의 반도체 물리학자이다.<br /> <br /> 서울에서 출생했으며, 한국전쟁 기간중에 통역장교로 해병대 복무를 마치고 복학하여 1955년에 [[서울대학교]] 물리학과를 졸업하였다. 오하이오 주립대학교 전자공학과에서 1956년에 석사 및 1959년에 박사학위를 받았다. 오하이오 주립대학교에서는 성장중인 산화층을 통과하여 실리콘에 불순물을 확산시키는 연구를 하였다. 1959년부터 벨 연구소에서 근무하였으며, 여기서 1960년에 마틴 아탈라(Martin Mohammed John Atalla)와 공동으로 금속-산화층-반도체 전계효과 [[트랜지스터]] (MOSFET)을 최초(!)[* 현재 CPU, D램, 낸드플래시 등 거의 모든 반도체가 이 MOS-FET을 기반으로 해 만들어진다. MOSFET이 개발되므로서 본격적인 IC의 시대가 열렸다. 이말은 이분이 안계셨다면 컴퓨터는 어마어마한 사이즈가 되었고 가정용 보급은 머나먼 이야기란 이야기다. 다만 이론이아닌 제작이 최초다]로 개발하였고, 결정성 실리콘 기판에 설치된 강한 전기장 전자 장치(hot electron device)에서 불순물 주입을 연구하였다.<br /> 1964년부터는 연구팀을 이끌었는데, 여기서는 고주파 쇼트키 다이오드, 강유전성 반도체, 전하와 결합된 발광물질 등을 연구하였다.<br /> <br /> 1967년에는 부상 갑문형 비휘발성 반도체 기억장치 (Floating Gate non-volatile semiconductor memory)를 최초로 개발하였다. 1988년에 벨 연구소를 은퇴하고 곧이어 미국 뉴저지 주에 설립된 NEC연구소의 초대소장으로 부임하였다. 1992년 5월 13일 학술대회를 마치고 집으로 돌아오던중 뉴저지 인근 공항에서 대동맥 동맥류(動脈瘤, aneurysm) 파열로 쓰러져 응급수술을 받은 후 합병증으로 사망하였다. 그와 부인 강영희씨 사이에 다섯명의 자녀들 두었다.<br /> 미국 전기전자공학회(IEEE), 한국물리학회 종신회원을 지냈으며, 1975년에는 프랭클린 연구소에서 물리분야에 수여하는 스튜어트 밸런타인 메달, 1986년에는 오하이오 주립대학교 공과대학 '자랑스런 졸업생상(Distinguished Alumni Awards)'을 수상하였다. 수십편의 논문과 몇 권의 책을 저술하였으며 수십편의 미국 특허를 얻었다. MOSFET을 최초로 개발한 공로로 2009년에 미국 상무부 산하 특허청의 발명가 명예의 전당(National Inventors Hall of Fame)에 올랐다.</div>

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