언어별 명칭 | |
영어 | Ampere's law |
프랑스어 | loi d'Ampère |
1 개요
앙드레 앙페르(André-Marie Ampère, 1775년 1월 20일 ~ 1836년 6월 10일)가 발견한 앙페르 법칙은 특정 경로의 자기장과 경로 내부의 알짜 전류의 관계에 대한 법칙이다.
2 초기이론
적분형 | 미분형 |
∮→H⋅ds=∫J⋅da | ∇×→H=J |
각각의 의미는 다음과 같다. H는 자기장, ds는 곡면의 미분요소, J 는 곡면을 지나는 전류밀도.
위의 공식은 자유전류조건에서 나온 공식이다. 총전류(Total current)조건하에서 유도되는 공식은
적분형 | 미분형 |
∮→B⋅ds=μ0∫J⋅da | ∇×→B=μ0J |
3 맥스웰 방정식
이 식은 이후 맥스웰이 유도자기장에 대한 식과 합쳐 완성시킨다. 이를 수정된 앙페르의 법칙(또는 회로법칙)이라고 하고 유도된 식을 앙페르-맥스웰 방정식이라고 부르며 맥스웰 방정식으로 묶어부르는 방정식들 중 하나다. 축전기에 적용하면 축전기 내부의 빈 공간에서 전류가 흐르지 않음에도 자기장이 생기는 앙페르가 제안한 이론의 헛점을 발견한 맥스웰이 시간에 따라 변하는 전기장도 전류로 보는 변위전류라는 개념을 도입하여 만들었다.
적분형 | 미분형 |
∮→H⋅ds=∫J⋅da+ddt∫D⋅da | ∇×→H=J+∂D∂t |
D는 물질의 영향을 고려해 다음과 같이 정의하는 변위(electric displacement)장[1]이다.
D=ϵ0E+P
- 진공에선 물질의 편극밀도 P가 0이므로 ϵ0E
- 선형유전체에선 ϵmaterialE
H는 마찬가지로 물질의 영향을 자기장에 적용한 보조장으로 H=1μ0B−M으로 마지막 항이 물질의 영향을 의미한다.
고등학교에서 상황별로 따로 가르치는 여러 가지 자기장 계산공식들은 모두 앙페르의 법칙에서 유도된 것들이다. 예를 들어 직선 전류가 흐르는 도선으로 부터 r 만큼 떨어진 곳의 자속밀도 B는
∮→B⋅d→S=μ0ienc
B(2πR)=μ0ienc
- 이동 ↑ 직역하면 변위전기장쯤 되나 검색의 용이성을 위해 위키피디아의 번역명을 따름