3D XPoint

컴퓨터 메모리
휘발성 메모리
RAMDRAM · SRAM
개발중T-RAM · Z-RAM
비휘발성 메모리
ROMMask ROM · PROM · EPROM · EEPROM
NVRAM플래시 메모리 · 메모리 카드 · SSD · eMMC · UFS
초기 NVRAMnvSRAM · FeRAM · MRAM · PRAM
기계적자기테이프 · 자기필름판 · HDD · 광학 디스크
개발중3D XPoint · CBRAM · SONOS · RPAM ·
Racetrack Memory · NRAM · Millipede Memory · FJG


소개 영상
정리 사이트 움직인다

1 개요

파일:DjKnFFC.png

'3D 크로스 포인트'로 읽는다. 인텔마이크론의 합작으로 탄생한 RAM플래시 메모리의 중간 형태. 일단은 비휘발성 메모리이다. 다만 DIMM 형태로 RAM이나 메모리가 아닌 새로운 패러다임으로 봐야할 지도 모른다. 기존의 NAND 형태의 SSD보다 레이턴시가 1,000배 더 빠르고,[1] 1,000만 번의 쓰기가 가능하는 등 1,000배 더 내구성이 뛰어나고, DRAM보다 10배 더 높은 집적도를 가진다.

인텔마이크론의 수치에 따르면 (SSD의 속도인 500MB/s에서) 500GB/s까지로 전송 속도가 향상될 수 있다고 한다(500Gbps가 아니다!).[2] PC에서 보게 되기까지는 최소 수 년이 걸릴 것으로 보인다. 또한 DRAM을 완전히 대체할 수는 없어 여전히 소량의 DRAM과 대용량의 3D XPoint 메모리를 병행해 쓸 것으로 보인다. #

SATA, DIMM(Dual In-Line Memory Module), PCI-E 전부 차용할 예정이다. # 그러나 PCI-E조차 처리 속도를 따라가지 못한다. 일반 SSD 속도의 1,000배면 500GB/s인데 당연하지

현재 16GB(바이트. 비트로는 128Gb) 제작이 가능한 상태이고, 2016년에 Optane 기반 시제품을 출시한다고 한다.

DRAM의 경우 인텔CES 2016에서 512GB 용량의 DDR4 DIMM을 공개했으며, 슬롯을 최대로 채울 경우 6TB까지 가능하다고 한다.#

2015년 12월 7일에 발표한 내용에 따르면 MLC의 저장밀도가 1.52Gb/mm², TLC가 2.28Gb/mm²로 삼성전자의 3D NAND TLC의 저장밀도인 1.86Gb/mm²를 뛰어넘어 1위가 되었다.

SSD의 반응속도가 100μs~1ms 정도로 보면, 3D XPoint의 반응속도는 100ns~1μs 정도로 예상된다[3]. DRAM의 반응속도는 20ns~100ns로 더 빠르지만, 현존하는 듀얼채널 데스크탑DRAM 대역폭이 30GB/s 이내이므로, PCI-E에서도 충분히 처리가 가능할 것으로 예상된다. 사실 DRAM을 이용한 저장장치인 램디스크도 대용량, 고속 데이터 처리가 필요한 IDC 등지에서는 잘만 쓴다. PCI-E는 그냥 레인 수만 늘려도 대역폭이 늘어나는데다 저장장치쪽 속도 조절도 매우 쉽기 때문에 의미없는 말이다. 애초에 인텔이 이를 언급하며 신규격이 필요하다는 투로 말한건데, 대부분의 사람들은 독점하려는 의도로 해석한다.

2 그래서 이게 뭡니까?

인텔에서 이걸 발표한 뒤로 각종 IT, 하드웨어 커뮤니티의 관심사는 대체 저게 뭐냐는 것이었다. 인텔이야 '기존에 발표된 기술과는 전혀 다른 기술' 이라고 했다. 그러나 아무리 기술력이 높아도 상용화된 기술과 격차가 어마어마한 제품을 바로 시판한다는 건 말이 안 된다.

문제는 인텔마이크론메모리의 대략적인 구조나 추상적인 속도와 수명을 제외한 다른 정보들은 일체 알려주지 않았다는 것. 그래서 정확히 뭐를 썼는지 알 수 없어 한동안 많은 추측들이 돌았다. 진짜 외계인으로 만든거 아니야?

메모리 업계의 강자들인 인텔마이크론이 참여한데다가 떡밥으로 풀린 성능이 무시무시해 파급력이 매우 큰 지라 당사자들 없는 컨퍼런스까지 개최될 정도였다(...)

SSD가 HDD를 밀어내는 중이듯, SSD를 밀어낼 새로운 저장장치의 규격이 될 수도 있으나 아직은 모른다.SSD 나온지 얼마나 됐다고..

3 Optane

인텔에서 이 기술을 적용한 SSD 제품군이다.

IDF15에서 최초 공개됐으며 프로트타입이 기존 인텔의 엔터프라이즈용 SSD P3700보다 7배 가량 IOPs가 높음을 시연했다. [1]

이것을 활용한 NV-DIMM도 선보였다. [2]

IDF 16에서 다시 공개되었는데 1.93GB/s의 파일 복사 속도를 보여주었다. 근데 옆에 두고 비교한 SSDSATA 포트를 사용하는 TLC라 제대로 비교되지 못했다며 비판을 받았다. 또 순차 쓰기 속도로 비교를 했는데, 삼성전자의 950 Pro도 순차 쓰기에서는 1.5GB/s의 속도가 나오고, SSD의 체감 성능은 순차 쓰기가 아닌 4KB 랜덤 I/O인 QD1에 좌우되므로 별 의미없는 비교라는 평이 대부분이다. 역시 외계인 고문은 아니었다
랜덤 읽기 속도가 '인텔의 NVMe SSD에 비해서 7배 빠른 성능 ' (첫번째 댓글 참조)라는 카더라가 있는데, 이를 4KB 랜덤 I/O인 QD1속도가 인텔 750의 7배 수준이라고 해석하면 어마어마한 성능인 건 맞다. (2009년도 테스트를 봐도 크리스탈 마크 4K QD1속도는 19~30MB/s 정도로, 인텔 750과 삼성950Pro의 40~60MB/s와는 고작 2~3배 정도 차이이다. 그런데 갑자기 한세대만에 7배가 빨라진다는 것.) 문제는 7월 현재까지 저 해석이 사실이라는 추가 증거가 전혀 없다는 것. 정말로 나와봐야 알 듯 하다.

맥북에 들어간다는 루머도 있다. 인텔 관계자가 말했다고는 하는데.. #
  1. Latency, 즉 반응속도와 대역폭이 1,000배 더 빠르다거나 넓다는 뜻이 아니다. #
  2. 그러나 이는 기자가 1,000배라는 속도를 곡해하여 해석한 결과로 보인다. 인텔마이크론이 공개한 1,000배는 단일 소자의 반응속도를 뜻한다. 이는 랜덤 접근에는 큰 이득을 줄 수 있으나, 순차 접근의 경우는 사실상 '버스 폭*인터페이스 클럭 수'가 속도를 제한하게 된다. CPU D-Cache 내부에서의 복사 속도가 100GB/s에 달한다는걸 보면 알 수 있다.
  3. 1초=1,000ms(millisecond), 1ms=1,000µs(microsecond), 1µs=1,000ns(nanosecond).